삼성전자에서는 반도체 제조 공정을 아래와 8단계로 구분해 놓았다. 반도체 8대 제조공정 이를 조금 더 세분화해서 나타내면 아래와 같다. 1. 웨이퍼 제조 1) 잉곳(Ingot) 만들기 모래에서 추출한 실리콘은 반도체 원료로 쓰이기 위해 정제과정이 필요합니다. 그래서, 실리콘을 뜨거운 열로 녹여 고순도의 실리콘 용액을 만들고 이것으로 단결정 실리콘 기둥, 즉 잉곳(Ingot)으로 만듬 2) 얇은 웨이퍼 만들기, 잉곳 절단(Wafer Slicing) 얇은 웨이퍼를 만들기 위해서는 잘라야 합니다. 단결정 실리콘(seed)과 잉곳(Ingot)의 말단을 제거하고, 식힌 잉곳(Ingot)을 다이아몬드 톱을 이용해 균일한 두께로 얇게 절단하면 바로 '웨이퍼'가 됩니다. 따라서 웨이퍼의 크기는 잉곳(Ingot)의 지름..
